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IRF9610S, SiHF9610S
www.vishay.com
Vishay Siliconix
7
6
5
R DS(on) measured with current pulse of
2.0 μs duration. Initial T J = 25 °C.
(Heating effect of 2.0 μs pulse is minimal.)
V GS = - 10 V
20
15
4
10
3
V GS = - 20 V
2
1
0
5
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
0
20
40
60
80
100
120
140
91081_12
I D , Drain Current (A)
Fig. 12 - Typical On-Resistance vs. Drain Current
91081_14
T C , Case Temperature (°C)
Fig. 14 - Power vs. Temperature Derating Curve
L
Vary t p to obtain
required I L
V DS
V DD
-
2.0
V GS = - 10 V
t p
D.U.T.
E C
+
0.05 Ω
I L
1.6
V DD = 0.5 V DS
E C = 0.75 V DS
1.2
0.8
Fig. 15 - Clamped Inductive Test Circuit
V DD
0.4
I L
0.0
91081_13
25
50 75 100 125
T C , Case Temperature (°C)
150
t p
E C
V DS
Fig. 13 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 16 - Clamped Inductive Waveforms
S12-1558-Rev. D, 02-Jul-12
5
Document Number: 91081
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